SD8016B

工作电压

2.4~3.6V

2.4~3.6V

工作电流

1.5mA

1.5mA

ADC ENOB

18.7bits@8sps
Gain = 128

18.7bits@8sps
Gain = 128

外设

DAC、、、、RTC、、、、UART、、PWM

DAC、、RTC、、UART、、、PWM

封装

裸片

裸片
芯片描述

        本芯片是带 24 ADC SoC 产品,, 程序存储器为 16k Bytes OTP,,, 超低功耗设计,,,使用内部 RC振荡器的 4 分频工作,, 3V 工作电压下,,,典型应用时的工作电流只有 1.5mA。。。

        外围资源丰富: RTC,,,, UART,,,,可选的多种稳压电源输出,,灵活设置的 PGIA 模块,,,升压模块,,, 带有 CAPTURE 功能的 TIMER,,, PWM PFD 输出模块,,, LCD 驱动等。。。。

        本产品带 16k Bytes OTP,, 可以低压自烧录,,,, 烧录电压范围: 2.4~3.6V,,, OTP 可以替代 EEPROM使用。。。MCU 提供三种工作模式让用户可以在工作效率和能量消耗方面得到最佳选择,,,三种模式是:正常工作模式、、、待机模式、、、、休眠模式。。

芯片特点
  • 高精度 ADC,,,, ENOB=18.7bits@8sps, 4 个差分通道或 8 个单端通道

  • 低噪声高输入阻抗前置放大器,, 1、、、、 4、、、、 8、、 16、、 32、、、、64、、 128、、、 256 倍增益可选

  • 8 位 RISC 超低功耗 MCU,, 49 条指令,,,, 6 级堆栈,,在 2MHz 工作时钟,, MCU 部 分在 3V 工作电压下电流典型值为 400μA; 32kHz 时钟待机模式下工作电流 1.5μA,, 休眠模式电流小于 1μA

  • 16k Bytes OTP 程序存储器,,, 512 Bytes SRAM 数据存储器

  • 低压烧录功能,,可以替代外部 EEPROM

  • 灵活的电池检测功能,,检测范围 2.0~3.3V

  • RTC 模块,,,,可以计算年、、、、月、、、、 星期、、 日、、、时、、、分、、、秒,,,可以自动进行闰年计算

  • 丰富的外围资源: UART,, PWM,, PDM,,,, PFD,,,,CAPTURE,,,, TIMER,,,,红外载波发生器

  • 最大 40SEG×4COM、、、、 39SEG×5COM、、 38SEG×6COM、、、、 36SEG×8COM 液晶驱动 电路,,,超低功耗和大驱动能力设计;内含程控升压模块,,可以在低压条件下维持高亮显 示,,,, 支持灰度调节

  • 8bits DAC

  • 所有 I/O 带施密特触发输入及选择上拉电阻

  • 掉电检测电路和上电复位电路

  • 工作电压范围: 2.4~3.6V

  • 工作温度范围: -40~85℃

  • 内部 8MHz 与 32kHz RC 振荡器

芯片框图
应用领域

红外测温枪

耳温枪

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